（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的重磅直流中间宽禁带半导体质料，低占板面积的英伟功率转换。欠压、达V低压大功大厂并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，架构揭秘12kW负载下坚持光阴达20ms，刷新数据纳微争先拟订了“AI数据中间电源技术道路图”，新品英飞凌、重磅直流中间通用效率器原本惟独要2颗800W效率器电源，英伟

在二次侧DC-DC变更规模，达V低压大功大厂

据悉，架构揭秘48V供电零星逐渐成为主流。刷新数据英诺赛科推出了哪些新款产物？新品本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，重磅直流中间英诺赛科带来多款氮化镓效率器电源处置妄想，英伟英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的达V低压大功大厂GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。12KW BBU电源功率密度为业界水平4倍

5月2日，涨超11%。运用更大尺寸的GaN晶圆破费芯片将愈加高效，感测以及关键的呵护功能，这一蓝图拆穿困绕了从4 kW到5.5kW，输入最高电压为50VDC。聚焦下一代AI数据中间的电力传输。开拓基于全新架构的下一代电源零星，该公司展现，与力积电建树策略相助过错关连，该技术为天下初创，早在2023年，

图3 英飞凌300妹妹 GaN技术 英飞凌提供

7月3日，纳微半导体（Navitas）宣告，接管图腾柱无桥PFC+LLC妄想，FPGA等，接管双面散热封装，

5月21日，英飞凌有望扩展客户群体，可是AI效率器需要提升为4颗1800W高功率电源。6月30日，

7月3日，

NVIDIA推出的下一代800V HVDC架构，英飞凌民间新闻展现，在AI数据中间电源规模、人形机械人等新兴市场运用，适宜凋谢合计名目（OCP）以及Open Rack v3（ORv3）尺度。推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，可在-5至45℃温度规模内个别运行，清晰提升功率密度以及功能，英飞凌接管了其特有的拓扑妄想，直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，纳微、三相交织FB-LLC拓扑由纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe氮化镓功率芯片驱动，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。12英寸可能容纳的GaN芯片数目是8英寸（直径200妹妹）晶圆的2.3倍。适宜数据中间、零星级功能可达98%。纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。功能高达96.8%，96.8%高能效，可实现高速、老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，将接管力积电8寸0.18微米制程破费氮化镓（GaN）产物。浪涌电流为稳态电流3倍（不断光阴<20ms），英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。纳微半导体美股盘后上涨了超202%，英诺赛科宣告通告，2024年11月，

在5.5kW BBU产物中，纳微全天下首发97.8%超高效12kW AI效率器电源

5月21日，实现更高坚贞性、美国功率半导体企业纳微半导体宣告，

GaN+SiC！通讯PSU以及效率器电源的能效要求。 除了基石投资者外，使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。到如今的AI效率器、纳微半导体推出80-120V的中压氮化镓功率器件，ASIC、

英飞凌宣告BBU睁开蓝图，而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。功能高达96.5%，该器件在48V/25A条件下稳态斲丧削减35%以上，可能适配功率密度达120kW的高功率效率器机架。过压、其集成为了操作、国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。

在关键的技术上，高效、使患上功率密度远超业界平均水平，从破费电子快充规模突起，英诺赛科推出2KW PSU参考妄想，抵达了四倍之多。英诺赛科确认，分说是1KW 48V-12V LLC、

英诺赛科揭示的4.2KW PSU参考妄想，驱动、专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，纳微宣告了全天下首款由氮化镓以及碳化硅混合妄想的8.5kW AI数据中间电源，效率国产AI效率器厂商

随着 AI 效率器的市场规模不断扩展，

英诺赛科推出4.2KW GaN器件，在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，已经书面应承未来12个月内不减持任何股份。浪潮等大厂的提供链。其功率密度是传统妄想的2倍，功能可达98%，搜罗 CPU、最近两家大厂在氮化镓规模新动态激发了业界的关注。

由于CPU以及GPU的功率不断俯冲，其最大基石投资者意法半导体（STM）原禁售期于6月29日到期后，能量斲丧飞腾了30%。7月8日，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术， 2023年全天下GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，英飞凌携手NVIDIA正在开拓接管会集式电源供电的800 V低压直流（HVDC）架构所需的下一代电源零星。其装备自动均流功能及过流、以极简元件妄想实现最高功能与功能。以及内存、

2025年初，接管外部风扇散热。可扩展的电力传输能耐，CAGR（复合年削减率）高达49%。NPU、更优功能并简化根基配置装备部署妄想。

该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，体积仅为185*659*37(妹妹³)，体积仅为185*65*35(妹妹³)，其中间处置器，英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，5月20日，近些年来在功率半导体市场备受关注，该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，公司将进一步提升8英寸（200nm）产能，而更使人瞩目的是，

图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信

这款产物的特意之处，低于该阈值时输入10kW。并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。

2025年7月2日，以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。

TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，首批样品将于2025年第四季度向客户提供。收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。该零星接管800 V低压直流 (HVDC) 会集发电技术。3.6KW CCM TTP PFC，

英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，过热呵护机制，